2018年11月13日、韓國?中央日報は「半導體分野で中國は韓國を超えられない」とする記事を掲載した。

韓國の半導體大手?SKハイニックスは12日、第2世代10ナノメートル級微細加工技術を応用した「8Gb DDR4 DRAM」を開発したと発表した。1回當たりの情報伝達量が従來の2倍で、現狀で最高水準となっている。

一方、サムスン電子は昨年11月、すでに同レベル製品の量産をスタート。今年7月にはSKハイニックスと同様の技術を応用し、16Gbのスマートフォン用DRAMの量産を始めている。

記事はこうした背景を紹介した上で、「韓國の半導體企業(yè)は現在、中國のライバル他社の猛烈な追い上げに直面している。しかし、米商務省が先月、福建省の晉華集成電路公司に対し、輸出制限を課する制裁を発動。中國の追い上げは米中貿易摩擦の激化を受け、足踏みを余儀なくされている」とした。

韓國の半導體業(yè)界関係者は、「中國の技術は韓國より3～5年ほど遅れている」と話しているといい、記事は「米中対立が韓國に利する結果となりそうだ」と予想している。（翻訳?編集/大宮）